SPI NAND Flash

東芯半導體股份有限公司成立于2014年，總部位于上海，在深圳、南京、、中國香港、韓國均設有分公司或子公司，矢志成為前列的存儲芯片設計公司，服務全球客戶。作為Fabless芯片企業，東芯半導體擁有自主的知識產權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的設計、生產和銷售，是目前國內少數可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發設計公司。

SPI NAND Flash

單芯片設計的串行通信方案，引腳少、封裝尺寸小，且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器，并帶有內部ECC模塊，使其在滿足數據傳輸效率的同時，既節約了空間，又提升了穩定性。產品現擁有38nm及2xnm的成熟工藝制程，未來將繼續研發1xnm先進工藝制程。產品可提供3.3V /1.8V兩種電壓，具備WSON、BGA多種封裝形式，不僅能滿足常規應用場景，也使其在目前日益普及的由電池驅動的移動互聯網及物聯網設備中保持低功耗，有效延長設備的待機時間，也更靈活地適用于不同應用場景。

規格：	Specification:
電壓/Voltage	1.8V，3.3V
溫度/Temperature	-40℃ — 85℃ / 105℃
容量/Density	512Mb/1Gb / 2Gb / 4Gb
封裝/Package	WSON 8*6，BGA 24
速度/Speed	83MHz，104MHz

type	Part Number	Density	Voltage	Speed(MHz/CLK)	Temp. Range	PKG Type	Datasheet
SPI NAND	DS35M12B-ID	512Mb	1.8V	83MHz	-40℃~85℃	WSON 6x5	Contact us
	DS35M12B-IB	512Mb		83MHz		WSON 8x6	Download
	DS35M1GA-IB	1Gb		104MHz		WSON 8x6	Download
	DS35M1GA-IW			104MHz		KGD	Contact us
	DS35M1GB-ID			83MHz		WSON 6x5	Contact us
	DS35M1GB-IB			83MHz		WSON 8x6	Download
	DS35Q1GA-IB		3.3V	104MHz		WSON 8x6	Download
	DS35Q1GA-IW					KGD	Contact us
	DS35Q1GB-IB					WSON 8x6	Download
	DS35M2GA-IB	2Gb	1.8V			WSON 8x6	Download
	DS35M2GA-IC					BGA 24	Download
	DS35M2GA-IW					KGD	Contact us
	DS35M2GB-IB			83MHz		WSON 8x6	Download
	DS35Q2GA-IB		3.3V	104MHz		WSON 8x6	Download
	DS35Q2GA-IC					BGA 24	Download
	DS35Q2GA-IW					KGD	Contact us
	DS35Q2GB-IB					WSON 8x6	Download
	DS35M4GM-IB	4Gb	1.8V	83MHz		WSON 8x6	Download
	DS35Q4GM-IB	4Gb	3.3V	104MHz		WSON 8x6	Download
	DS35Q2GA-A2B	2Gb	3.3V	104Mhz	-40℃~105℃	WSON 8x6	Contact us
	DS35Q2GA-A2E	2Gb	3.3V	104Mhz	-40℃~105℃	BGA 24(5X5-1)	Contact us